国产内存长鑫与Rambus达成合作:获得DRAM内存专利 费用未知

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国产内存长鑫与Rambus达成合作:获得DRAM内存专利 费用未知

在长江存储不断突破3D闪存的同时,国内另一家存储企业合肥长鑫也攻关DDR内存,去年9月份正式量产10nm内存。日前长鑫又宣布与美国Rambus(中文名蓝铂世)达成协议,获得了后者的DRAM技术授权。

与长鑫合作的美国Rambus公司虽然也是NPE(Non-Practicing Entity,非专利执行实体)公司,但在内存技术上还是很有实力的,过去多年中三星、SK海力士、Intel、高通、NVIDIA等公司都跟他们签订了DRAM技术授权协议。

长鑫与Rambus签署的合作协议也涉及DRAM技术授权,不过具体的合作内容及授权费用没有公布,两边对此合作倒是都很满意。

长鑫存储董事长兼CEO朱一明表示:“与蓝铂世达成的协议再次表明,长鑫存储高度重视知识产权相关的国际规则,持续强化知识产权组合。公司致力于通过自主研发与国际合作,不断增加在半导体核心技术和高价值知识产权方面的积累,并以此为基础实现可持续发展,稳步提升市场竞争力。”

长鑫存储2016年5月在安徽合肥启动,总投资1500亿元,专业从事DRAM内存的研发、生产和销售,目前已建成第一座300毫米晶圆厂并投产,并通过专用研发线快速迭代研发,结合当前先进设备大幅度改进工艺,开发出了独有的技术体系。

2019年9月份,合肥长鑫公司宣布总投资1500亿元的合肥长鑫内存芯片自主制造项目投产,将生产国产第一代10nm级8Gb DDR4内存。

在内存技术上,长鑫存储的董事长兼CEO朱一明去年披露,他们从已破产的奇梦达公司,获得了一千多万份有关DRAM的技术文件及2.8TB数据,在此基础上改进、研发自主产权的内存芯片,耗资超过25亿美元。

在自研技术之外,长鑫也免不了要跟其他公司合作授权,就在去年底,长鑫存储从Polaris获得了大量DRAM技术专利的实施许可,而这些专利来自Polaris 2015年6月从奇梦达母公司英飞凌购得的专利组合。

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