中国又打破一项芯片制造核心技术垄断,高端离子注入机实现国产!

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中国又打破一项芯片制造核心技术垄断,高端离子注入机实现国产!

国产光刻机打破高端芯片关键技术垄断,离子注入机实现国产化,中国电科承担的我国芯片高端制造装备的研发也取得阶段性成果,其中,离子注入机等核心制造装备正在展开调试,验证成功后将加速推动我国芯片制造装备自主可控进程。

给大家科普一下:芯片制造需要经过扩散(diffusion)、薄膜(thin film)、photo(光刻)、etch(蚀刻)、implant(离子注入)、CMP(化学机械研磨)等主要工序。其中还有每一步的测量工序。其中以光刻最为重要,其他工序相对好突破。但是半导体行业的整体科技含量,自动化程度是非常高的,这不是一时半会能够赶上的。目前主要的问题还是在光刻设备上面,只要给行业内兄弟一点时间,我相信绝对可以解决这个问题。我们这个文明的优势在于顶层哲学,结合点科学上面绝对是全球无敌的。文明的骄傲已经深入到每个国人的骨子里面了,我们决不允许比别人差。

离子注入机是高压小型加速器中的一种,应用数量最多。它是由离子源得到所需要的离子,经过加速得到几百千电子伏能量的离子束流,用做半导体材料、大规模集成电路和器件的离子注入,还用于金属材料表面改性和制膜等。

离子注入机由离子源、离子引入和质量分析器、加速管、扫描系统和工艺腔组成,可以根据实际需要省去次要部位。离子源是离子注入机的主要部位,作用是把需要注入的元素气态粒子电离成离子,决定要注入离子的种类和束流强度。离子源直流放电或高频放电产生的电子作为轰击粒子,当外来电子的能量高于原子的电离电位时,通过碰撞使元素发生电离。碰撞后除了原始电子外,还出现正电子和二次电子。正离子进入质量分析器选出需要的离子,再经过加速器获得较高能量,由四级透镜聚焦后进入靶室,进行离子注入。

离子注入机是集成电路制造前工序中的关键设备,离子注入是对半导体表面附近区域进行掺杂的技术,其目的是改变半导体的载流子浓度和导电类型。离子注入与常规热掺杂工艺相比可对注入剂量、注入角度、注入深度、横向扩散等方面进行精确的控制,克服了常规工艺的限制,提高了电路的集成度、开启速度、成品率和寿命,降低了成本和功耗

。离子注入机广泛用于掺杂工艺,可以满足浅结、低温和精确控制等要求,已成为集成电路制造工艺中必不可少的关键装备。图文采编来自网络传播正能量科普之目的如侵犯您合法权益请联系删除谢谢。

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