终结国产存储芯片空白!内存、闪存双双突破,追上三星不再是梦

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终结国产存储芯片空白!内存、闪存双双突破,追上三星不再是梦

这些年中国半导体行业迎来最好的时刻,越是被限制,越是能突围。而说起内存、闪存,过去一直被三星等垄断,国产手机不得不依靠海外供应链。尤其是当前华为手机再次遭遇新的发展困境,而国产化尤为重要。

我们常说的内存芯片为DRAM,而闪存芯片为NAND。比如一台智能手机,就得靠这两个协同,一部入门版的iPhone 11就配置了4GB DRAM(运行内存)和 64 GB NAND(闪存)。其他国产手机同样需要。而目前,无论是DRAM还是NAND,国内产品的市场占有率都被列为其它。

好的消息是当前国产内存、闪存双双突破!其中"合肥长鑫+兆易创新"挑战DRAM领域,"长江存储+紫光集团"挑战NAND领域。

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