3年攻关,中国打破美日韩闪存芯片定价权,攻克最先进128层闪存

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3年攻关,中国打破美日韩闪存芯片定价权,攻克最先进128层闪存

目前用来储存操作系统的程序代码或重要数据,比如拿来做 ROM。像是生产 NOR Flash 的台厂旺宏就是因为打入任天堂 Switch 主机的 ROM 供应链,今年营收上看攀升。

NAND Flash 写入的速度快、价格较低,故目前以 NAND Flash 最为普遍。现在的 USB 硬盘和手机储存空间,就是用 NAND Flash 为主流技术。

在NAND flash (闪存)上则三星、东芝、美光、海力士、英特尔五家垄断。总结来说,日韩美三国垄断了存储芯片市场。可以说,日韩美三国垄断了整个存储芯片市场,掌握了定价权,将存储芯片卖出了天价!

在2016年前,中国在存储芯片市场为0,所以极易被国外卡脖子,而是非常被动,这个时候,紫光集团成立了长江存储,来攻克存储芯片市场。

长江存储借助全资子公司武汉新芯超过10年的12英寸先进集成电路技术研发与生产制造经验基础,采取自主研发与国际合作双轮驱动模式,已于2017年研制成功了中国的第一颗3D NAND闪存芯片。

2018年8月7日,长江存储发布了其突破性技术——Xtacking™,该技术将为3D NAND闪存带来更高的存储密度以及更短的产品上市周期。

Xtacking™一个新的架构,通过Xtacking™,周边控制电路设计可以随意选择逻辑电路的先进工艺。采用Xtacking™,可在一片晶圆上独立加工负责数据输入输出及记忆单元操作的外围电路。这样的逻辑电路加工工艺,可以让NAND获取所期望的高I/O接口速度和功能。

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