3年攻关,中国打破美日韩闪存芯片定价权,攻克最先进128层闪存

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3年攻关,中国打破美日韩闪存芯片定价权,攻克最先进128层闪存

在传统3D NAND架构中,外围电路约占芯片面积的20~30%,降低了芯片的存储密度。随着3D NAND技术堆叠到128层甚至更高,外围电路可能会占到芯片整体面积的50%以上。通过Xtacking™技术将外围电路置于存储单元之上,从而实现比传统3D NAND更高的存储密度。

在研发周期上,采用Xtacking™架构,3D NAND产品研发周期至少减短三个月,生产周期可缩短20%,从而大幅缩短3D NAND产品的上市时间。

经过3年时间的研发,长江存储X2-6070是业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存,拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度,最高I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量。

而这次,紫光128层QLC 3D NAND 闪存(型号:X2-6070)研发成功,中国首次在闪存规格上超过三星等内存大厂,标志着中国打破了美日韩在闪存市场上的定价权。目前紫光正在建设的存储3D NAND Flash厂一期建设完毕后会有一个月10万片产能,三期全部完工后每月产能30万片。

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