3年攻关,中国打破美日韩闪存芯片定价权,攻克最先进128层闪存

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3年攻关,中国打破美日韩闪存芯片定价权,攻克最先进128层闪存

2020年4月13日,紫光集团下属长江存储科技有限责任公司宣布其128层QLC 3D NAND 闪存(型号:X2-6070)研发成功,并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证,领先了三星等企业。

此次同时发布的还有128层512Gb TLC(3 bit/cell)规格闪存芯片(型号:X2-9060),单颗容量512Gb(64GB),以满足不同应用场景的需求。

紫光集团最早起步于1988年。当年,清华大学成立清华大学科技开发总公司,这是清华大学为加速科技成果产业化成立的全校第一家综合性校办企业,也是紫光集团前身。。

作为国内最大的综合性集成电路企业,紫光集团的芯片业务主要包括三大领域,一是以长江存储为主的闪存芯片,二是以紫光展锐为主的手机芯片,三是安全芯片。其中,在存储芯片方面,从2016年开始,紫光集团相继在武汉、南京、成都开工建设总投资额近1000亿美元的存储芯片与存储器制造工厂。

存储器的种类很多,按其用途可分为主存储器和辅助存储器,主存储器又称内存储器(简称内存,港台称之为记忆体)。外储存器是指除计算机内存及CPU缓存以外的储存器,此类储存器一般断电后仍然能保存数据。常见的外存储器有硬盘、软盘、光盘、U盘等。

而简单来说,DRAM就是我们一般在用的内存,而NAND Flash 闪存,它在做的事情其实是硬盘。Flash(闪存)由于具备了重量轻、体积小、功率低等优点,被应用在各类电子产品的硬盘上。Flash 又可以分成 NOR 型 Flash 和 NAND 型 Flash。

NOR Flash 比 NAND Flash 更早导入市场。读取的速度较快,但写入的速度慢、价格也比 NAND Flash 贵。

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